Perkembangan Dan Sejarah RAM ( Random Access Memory )

Salam Sharing :)

NURYADIN | 13.4C.02 | Teknik Komputer | FATMAWATI |

Hallo sobat para blogger dan sahabat duniasharing.

Kali ini saya akan membahas perkembangan dan sejarah ram dari dulu sampe sekarang :D

.

 

Apa itu RAM ?

RAM atau Random Access Memory merupakan merupakan sebuah media penyimpanan data sementara pada komputer. RAM merupakan media penyimpanan yang bersifat volatile, ketika tidak ada pasokan arus listrik ke media tersebut maka data yang tersimpan akan hilang. Oleh karena itu setiap kali komputer akan dimatikan, data yang tersimpan di RAM akan disalin terlebih dahulu ke media penyimpanan permanen seperti harddisk yang tidak membutuhkan listrik untuk mempertahankan data yang tersimpan.

Sebagai Gambaran  silahkan di simak Gan ..

CPU hanya membutuhkan waktu 200 ns (nano second) untuk mengakses data pada RAM. Sedangkan untuk mengakses virtual memory pada harddisk, CPU akan membutuhkan waktu sekitar 12.000.000 ns. Atau perbandingannya butuh waktu CPU mengakses paging files pada harddisk sekitar 60.000 kali lebih lama dibandingkan jika CPU mengakses data dari RAM. Selain kinerja PC terasa melambat drastis, masih ada pertanda lainnya. Seperti akses harddisk yang berlebihan. Bahkan saat Anda tidak memerintahkan sebuah proses baru. Seperti membuka file, melakukan save data, ataupun hal serupa.
Harddisk terus bekerja, karena CPU membutuhkan data paging file yang tersimpan di dalamnya. Ini memang tidak akan selalu terjadi. Saat loading beban PC masih rendah, memory masih dapat menampung data dan instruksi yang aktif. Ketika beban PC full, dan loading data dan instruksi semakin banyak, memory mulai kehabisan tempat. Dan jika hal ini yang memang terjadi pada PC Anda, dapat dijadikan salah satu tolok ukur bahwa sistem Anda membutuhkan kapasitas RAM yang lebih besar.

1. RAM

RAM pertamakali diproduksi secara besar – besaran oleh Intel pada tahun 1968, jauh sebelum PC ditemukan oleh IBM pada tahun 1981. Dari sini lah perkembangan RAM bermula. Pada awal diciptakannya, RAM membutuhkan tegangan 5.0 volt untuk dapat berjalan pada frekuensi 4,77MHz, dengan waktu akses memori (access time) sekitar 200ns (1ns = 10-9 detik). RAM generasi pertama ini menggunakan slot 30 pin pada motherboard.

 

2. DRAM

IBM menciptakan sebuah memory yang di namai DRAM pada tahun 1970, DRAM sendiri merupakan singkatan dari Dynamic Random Access Memory, DRAM mempunyai frekuensi kerja yang bervariasi, yaitu antara 4,77MHz hingga 40MHz.

3. FPM  DRAM 

Memori jenis ini bekerja layaknya sebuah indeks atau daftar isi. Arti Page itu sendiri merupakan bagian dari memori yang terdapat pada sebuah row address. Ketika sistem membutuhkan isi suatu alamat memori, FPM tinggal mengambil informasi mengenainya berdasarkan indeks yang telah dimiliki. FPM memungkinkan transfer data yang lebih cepat pada baris (row) yang sama dari jenis memori sebelumnya. FPM bekerja pada rentang frekuensi 16MHz hingga 66MHz dengan access time sekitar 50ns. Selain itu FPM mampu mengolah transfer data (bandwidth) sebesar 188,71 Mega Bytes (MB) per detiknya. FP RAM ini ditemukan sekitar tahun 1987. Memory ini digunakan oleh sistem berbasis Intel 286, 386 serta sedikit 486.

4. EDO DRAM EDO 

DRAM (extended data output dynamic random access memory) diciptakan pada tahun 1995. Memory ini merupakan penyempurnaan dari FPM, EDO dapat mempersingkat read cycle-nya sehingga dapat meningkatkan kinerjanya sekitar 20 persen. EDO mempunyai access time yang cukup bervariasi, yaitu sekitar 70ns hingga 50ns dan bekerja pada frekuensi 33MHz hingga 75MHz. Walaupun EDO merupakan penyempurnaan dari FPM, namun keduanya tidak dapat dipasang secara bersamaan, karena adanya perbedaan kemampuan. Intel 486 dan kompatibelnya serta Pentium generasi awal adalah sistem basis yang menggunakan EDO DRAM. Slot yang digunakan pada motherboard memiliki 72 pin.

5. SDRAM

Kingston menciptakan SDRAM pada peralihan tahun 1996-1997, modul ini dapat bekerja pada kecepatan (frekuensi) bus yang sama / sinkron dengan frekuensi yang bekerja pada prosessor. SDRAM ini kemudian lebih dikenal sebagai PC66 karena bekerja pada frekuensi bus 66MHz. Berbeda dengan jenis memori sebelumnya yang membutuhkan tegangan kerja yang lumayan tinggi, SDRAM hanya membutuhkan tegangan sebesar 3,3 volt dan mempunyai access time sebesar 10ns.Selang kurun waktu setahun setelah PC66 diproduksi dan digunakan secara masal, Intel membuat standar baru jenis memori yang merupakan pengembangan dari memori PC66. Dengan menggunakan tegangan kerja sebesar 3,3 volt, memori PC100 mempunyai access time sebesar 8ns, lebih singkat dari PC66. Selain itu memori PC100 mampu mengalirkan data sebesar 800MB per detiknya.Selain dikembangkannya memori RDRAM PC800 pada tahun 1999, memori SDRAM belumlah ditinggalkan begitu saja, bahkan oleh Viking, malah semakin ditingkatkan kemampuannya. Sesuai dengan namanya, memori SDRAM PC133 ini bekerja pada bus berfrekuensi 133MHz dengan access time sebesar 7,5ns dan mampu mengalirkan data sebesar 1,06GB per detiknya. Walaupun PC133 dikembangkan untuk bekerja pada frekuensi bus 133MHz, namun memori ini juga mampu berjalan pada frekuensi bus 100MHz walaupun tidak sebaik kemampuan yang dimiliki oleh PC100 pada frekuensi tersebut.Perkembangan memori SDRAM semakin menjadi – jadi setelah Mushkin, pada tahun 2000 berhasil mengembangkan chip memori yang mampu bekerja pada frekuensi bus 150MHz, walaupun sebenarnya belum ada standar resmi mengenai frekunsi bus sistem atau chipset sebesar ini. Masih dengan tegangan kerja sebesar 3,3 volt, memori PC150 mempunyai access time sebesar 7ns dan mampu mengalirkan data sebesar 1,28GB per detiknya. Memori ini sengaja diciptakan untuk keperluan overclocker, namun pengguna aplikasi game dan grafis 3 dimensi, desktop publishing, serta komputer server dapat mengambil keuntungan dengan adanya memori PC150. Slot yang digunakan pada motherboard memiliki 168 pin.

6. DR RAM

Pada tahun 1999, Rambus menciptakan sebuah sistem memori dengan arsitektur baru dan revolusioner, berbeda sama sekali dengan arsitektur memori SDRAM.Oleh Rambus, memori ini dinamakan Direct Rambus Dynamic Random Access Memory. Dengan hanya menggunakan tegangan sebesar 2,5 volt, RDRAM yang bekerja pada sistem bus 800MHz melalui sistem bus yang disebut dengan Direct Rambus Channel, mampu mengalirkan data sebesar 1,6GB per detiknya!Masih dalam tahun yang sama, Rambus juga mengembangkan sebuah jenis memori lainnya dengan kemampuan yang sama dengan DRDRAM. Perbedaannya hanya terletak pada tegangan kerja yang dibutuhkan. Jika DRDRAM membutuhkan tegangan sebesar 2,5 volt, maka RDRAM PC800 bekerja pada tegangan 3,3 volt.

7. DDR2 SDRAM 

Ketika memori jenis DDR (Double Data Rate) dirasakan mulai melambat dengan semakin cepatnya kinerja prosesor dan prosesor grafik, kehadiran memori DDR2 merupakan kemajuan logis dalam teknologi memori mengacu pada penambahan kecepatan serta antisipasi semakin lebarnya jalur akses segitiga prosesor, memori, dan antarmuka grafik (graphic card) yang hadir dengan kecepatan komputasi yang berlipat ganda.Perbedaan pokok antara DDR dan DDR2 adalah pada kecepatan data serta peningkatan latency mencapai dua kali lipat. Perubahan ini memang dimaksudkan untuk menghasilkan kecepatan secara maksimum dalam sebuah lingkungan komputasi yang semakin cepat, baik di sisi prosesor maupun grafik.Selain itu, kebutuhan voltase DDR2 juga menurun. Kalau pada DDR kebutuhan voltase tercatat 2,5 Volt, pada DDR2 kebutuhan ini hanya mencapai 1,8 Volt.Artinya, kemajuan teknologi pada DDR2 ini membutuhkan tenaga listrik yang lebih sedikit untuk menulis dan membaca pada memori.Teknologi DDR2 sendiri lebih dulu  digunakan pada beberapa perangkat antarmuka grafik, dan baru pada akhirnya diperkenalkan penggunaannya pada teknologi RAM. Dan teknologi DDR2 ini tidak kompatibel dengan memori DDR sehingga penggunaannya pun hanya bisa dilakukan pada komputer yang memang mendukung DDR2. Slot yang digunakan pada motherboard memiliki 240 pin.

8. DDR3 SDRAM 

 

RAM DDR3 ini memiliki kebutuhan daya yang berkurang sekitar 16% dibandingkan dengan DDR2. Hal tersebut disebabkan karena DDR3 sudah menggunakan teknologi 90 nm sehingga konsusmsi daya yang diperlukan hanya 1.5v, lebih sedikit jika dibandingkan dengan DDR2 1.8v dan DDR 2.5v. Secara teori, kecepatan yang dimiliki oleh RAM ini memang cukup memukau. Ia mampu mentransfer data dengan clock efektif sebesar 800-1600 MHz. DDR3 memiliki clock internal 400-800 MHz, jauh lebih tinggi dibandingkan DDR2 200- 533 dan DDR sebesar 100-300 MHz. Prototipe dari DDR3 yang memiliki 240 pin. Ini sebenarnya sudah diperkenalkan sejak lama pada awal tahun 2005. Namun, produknya sendiri benar-benar muncul pada pertengahan tahun 2007 bersamaan dengan motherboard yang menggunakan chipset Intel P35 Bearlake dan pada motherboard tersebut sudah mendukung slot DDR3. Slot yang digunakan pada motherboard memiliki jumlah pin yang sama dengan slot DDR2 SDRAM, tapi posisi notchnya berbeda sehingga seharusnya tidak bisa memasang modul DDR3 SDRAM pada slot DDR2. Hal ini sengaja dilakukan karena secara elektrikal modul DDR2 dengan DDR2 memiliki tegangan yang berbeda.

 

9. SO-DIMM

Small Outline Dual In-Line Memory Module (SO-DIMM) merupakan jenis memory yang digunakan pada perangkat notebook. Bentuk fisiknya kira-kira setengah dari besar DDR biasa sehingga dapat lebih menghemat ruang yang tentunya  sangat berharga pada perangkat mobile seperti notebook. Perkembangan generasi SO-DIMM biasanya sejalan dengan perkembangan RAM untuk komputer desktop. Ketika DDR3 SDRAM diluncurkan dipasaran, DDR3 SO-DIMM juga ikut diluncurkan. Modul tersebut menggunakan slot yang memiliki 204 pin. Lebih sedikit daripada DDR3 SDRAM.

 10. DDR 4

Samsung Electronics telah mengumumkan bahwa mereka telah menyelesaikan pengembangan modul DRAM DDR4 pertama di dunia industri elektronik bulan lalu. Pengembangan ini menggunakan teknologi proses kelas 30nm, dan menyediakan unbuffered modul memori dual in-line (UDIMM) 1.2V 2GB DDR4 ke pembuat controller untuk pengujian.
Modul DRAM DDR4 baru ini dapat mencapai kecepatan transfer data 2.133Gbps di 1.2V, lebih hemat daya dan lebih cepat bila dibandingkan dengan 1.35V dan 1.5V DRAM DDR3 pada teknologi proses 30nm yang setara , dengan kecepatan hingga 1.6Gbps.
Dalam notebook, modul DDR4 akan mengurangi konsumsi daya sebesar 40 persen dibandingkan dengan modul DDR3 1.5V.
Modul ini menggunakan Pseudo Terbuka Drain (POD) teknologi, yang memungkinkan DRAM DDR4 untuk mengkonsumsi hanya setengah arus listrik dari DDR3 saat membaca dan menulis data. Dengan menggunakan arsitektur sirkuit baru, DDR4 Samsung akan dapat dijalankan pada sampai 3.2Gbps, dibandingkan dengan kecepatan khas hari ini dari 1.6Gbps untuk DDR3 dan 800Mbps untuk DDR2.
Samsung kini berencana untuk bekerja sama dengan sejumlah pembuat server untuk membantu memastikan penyelesaian standarisasi JEDEC teknologi DDR4 pada semester kedua tahun ini. Samsung mengembangkan DRAM DDR pertama di industri tahun 1997, DRAM DDR2 pertama di tahun 2001, dan DRAM DDR3 pertama yang menggunakan teknologi kelas 80nm pada tahun 2005

 Ok sekian dari duniasharing, untuk sharing berbagi pengetahuan , walapau pun ambil dari berbagai sumber semoga bermanfaat untuk kita semua..

Regards: | Nuryadin|13.4C.02|Fatmawati|

Sumber : 

http://dionajie.blog.upi.edu

http://kaskus.co.id
http://sofyan079.wordpress.com

http://technouns.blogspot.com